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高低溫箱 晶圓封裝測試 30秒溫變不傷元件

高低溫箱 晶圓封裝測試 30秒溫變不傷元件

簡要描述:高低溫箱 晶圓封裝測試 30秒溫變不傷元件
技術參數(shù):
溫度范圍:-60℃至 150℃。
溫變速率:約 1.0℃/min(需較長時間達到目標溫度)。
控制精度:±0.2℃。

產(chǎn)品型號: TEE-408PF

所屬分類:高低溫測試箱

更新時間:2025-05-19

廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家

詳情介紹

高低溫箱 晶圓封裝測試 30秒溫變不傷元件



  1. 溫度控制技術
    • 溫變速率可達30 秒內(nèi)完成目標溫度切換(如從 - 70℃到 + 200℃)。

    • 僅對單個芯片進行精準控溫,不影響外圍電路,減少熱沖擊風險。

    • 原理:通過測試頭與待測器件直接貼合傳遞能量,避免傳統(tǒng)氣流式設備的熱傳導延遲。

    • 優(yōu)勢

    • 代表產(chǎn)品:成都中冷低溫科技 ATC860 接觸式高低溫沖擊機。

  2. 高精度控溫系統(tǒng)
    • 內(nèi)置防冷凝、防結霜功能,避免芯片表面凝露導致短路。

    • 接觸式設計減少熱應力集中,降低封裝開裂風險。

    • 溫度范圍:-70℃至 + 200℃(滿足晶圓測試的寬溫域需求)。

    • 穩(wěn)定性:±0.5℃,確保測試數(shù)據(jù)的可靠性。

    • 防損傷設計


高低溫箱 晶圓封裝測試 30秒溫變不傷元件

高低溫箱 晶圓封裝測試 30秒溫變不傷元件



寬溫域氣流式試驗箱


  • 型號:皓天鑫芯片高低溫交變濕熱試驗箱

  • 技術參數(shù)

    • 溫度范圍:-60℃至 150℃。

    • 溫變速率:約 1.0℃/min(需較長時間達到目標溫度)。

    • 控制精度:±0.2℃。

  • 適用場景

    • 批量晶圓或封裝模塊的高低溫循環(huán)測試。

    • 需符合 ISO、JEDEC 等標準的可靠性驗證。



測試方案設計


  1. 測試流程

    • 快速溫變測試:模擬芯片在極-端環(huán)境下的開關機或快充場景,驗證封裝材料的熱膨脹匹配性。

    • 溫度循環(huán)測試:通過多段溫變曲線(如 - 40℃→125℃循環(huán)),評估焊點疲勞壽命。

  2. 損傷預防措施

    • 采用梯度升溫 / 降溫策略(如先以 10℃/min 速率預調(diào)整,再快速切換)。

    • 配置紅外測溫實時監(jiān)控芯片結溫,避免局部過熱。




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